ZnGeP2 — piesātināta infrasarkanā nelineārā optika
Produkta apraksts
Pateicoties šīm unikālajām īpašībām, tas ir pazīstams kā viens no daudzsološākajiem materiāliem nelineāriem optiskiem lietojumiem.ZnGeP2 var ģenerēt 3–5 μm nepārtrauktu noskaņojamu lāzeru, izmantojot optisko parametrisko svārstību (OPO) tehnoloģiju.Lāzeri, kas darbojas 3–5 μm atmosfēras pārraides logā, ir ļoti svarīgi daudzām lietojumprogrammām, piemēram, infrasarkano staru skaitītāju mērīšanai, ķīmiskajai uzraudzībai, medicīnas aparatūrai un attālajai uzrādei.
Mēs varam piedāvāt augstas optiskās kvalitātes ZnGeP2 ar ārkārtīgi zemu absorbcijas koeficientu α < 0,05 cm-1 (pie sūkņa viļņu garumiem 2,0-2,1 µm), ko var izmantot vidējas infrasarkanā starojuma noskaņojamā lāzera ģenerēšanai ar augstu efektivitāti, izmantojot OPO vai OPA procesus.
Mūsu kapacitāte
Dynamic Temperature Field Technology tika izveidota un izmantota, lai sintezētu polikristālisko ZnGeP2.Izmantojot šo tehnoloģiju, vienā piegājienā ir sintezēts vairāk nekā 500 g augstas tīrības pakāpes polikristālisks ZnGeP2 ar milzīgiem graudiem.
Horizontal Gradient Freeze metode apvienojumā ar Directional Necking tehnoloģiju (kas var efektīvi samazināt dislokācijas blīvumu) ir veiksmīgi izmantota augstas kvalitātes ZnGeP2 audzēšanai.
Kilogramma līmeņa augstas kvalitātes ZnGeP2 ar pasaulē lielāko diametru (Φ55 mm) ir veiksmīgi izaudzēts ar Vertical Gradient Freeze metodi.
Kristāla ierīču virsmas raupjums un plakanums, attiecīgi mazāks par 5Å un 1/8λ, ir iegūts, izmantojot mūsu smalkās virsmas apstrādes tehnoloģiju.
Kristāla ierīču galīgā leņķa novirze ir mazāka par 0,1 grādu, jo tiek piemērota precīza orientācija un precīzas griešanas metodes.
Ierīces ar izcilu veiktspēju ir sasniegtas, pateicoties augstajai kristālu kvalitātei un augsta līmeņa kristālu apstrādes tehnoloģijai (3-5 μm vidējas infrasarkanais noskaņojamais lāzers ir ģenerēts ar konversijas efektivitāti, kas ir lielāka par 56%, ja to sūknē 2 μm gaisma avots).
Mūsu pētniecības grupa, izmantojot nepārtrauktu izpēti un tehniskos jauninājumus, ir veiksmīgi apguvusi augstas tīrības polikristāliskā ZnGeP2 sintēzes tehnoloģiju, liela izmēra un augstas kvalitātes ZnGeP2 augšanas tehnoloģiju un kristāla orientāciju un augstas precizitātes apstrādes tehnoloģiju;var nodrošināt ZnGeP2 ierīces un oriģinālus izaudzētus kristālus masu mērogā ar augstu viendabīgumu, zemu absorbcijas koeficientu, labu stabilitāti un augstu konversijas efektivitāti.Tajā pašā laikā mēs esam izveidojuši veselu kristāla veiktspējas testēšanas platformu komplektu, kas ļauj mums nodrošināt kristāla veiktspējas testēšanas pakalpojumus klientiem.
Lietojumprogrammas
● CO2 lāzera otrā, trešā un ceturtā harmoniskā paaudze
● Optiskā parametru ģenerēšana ar sūknēšanu pie viļņa garuma 2,0 µm
● CO lāzera otrās harmonikas paaudzes
● rada koherentu starojumu submilimetru diapazonā no 70,0 µm līdz 1000 µm
● Kristāla caurspīdīguma zonā darbojas CO2 un CO lāzeru starojuma kombinēto frekvenču ģenerēšana un citi lāzeri.
Pamatīpašības
| Ķīmiskā | ZnGeP2 |
| Kristāla simetrija un klase | tetragonāls, -42m |
| Režģa parametri | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
| Blīvums | 4,162 g/cm3 |
| Mosa cietība | 5.5 |
| Optiskā klase | Pozitīvs vienpusējs |
| Lietotājam draudzīgs pārnesumkārbas diapazons | 2,0–10,0 mm |
| Siltumvadītspēja @ T= 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K (∥ c) |
| Termiska izplešanās @ T = 293 K līdz 573 K | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 106 K-1 (∥ c) |
Tehniskie parametri
| Diametra pielaide | +0/-0,1 mm |
| Garuma tolerance | ±0,1 mm |
| Orientācijas tolerance | <30 loka min |
| Virsmas kvalitāte | 20-10 SD |
| Plakanums | <λ/4@632.8 nm |
| Paralēlisms | <30 loksek |
| Perpendikularitāte | <5 loka min |
| Chamfer | <0,1 mm x 45° |
| Caurspīdīguma diapazons | 0,75 - 12,0 ?m |
| Nelineārie koeficienti | d36 = 68,9 pm/V (pie 10,6 μm) d36 = 75,0 pm/V (pie 9,6 μm) |
| Bojājumu slieksnis | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
