Lāzertehnoloģiju straujā attīstība nav atdalāma no pusvadītāju lāzeru, mākslīgo kristālu materiālu un ierīču būtiskas uzlabošanas. Pašlaik pusvadītāju un cietvielu lāzeru tehnoloģiju joma plaukst. Lai vēl vairāk izprastu lieljaudas pusvadītāju un cietvielu lāzertehnoloģiju progresīvākās zinātniskās pētniecības statusu un valsts aizsardzības drošības pielietojuma vajadzības un veicinātu akadēmisko apmaiņu lāzertehnoloģijas augšup un lejup, Ķīnas Optiskās inženierijas biedrība organizēs “Uzlabotu pusvadītāju, cietvielu lāzeru tehnoloģiju un lietojumu apmaiņas konference” 2024. gadā, lai veiktu padziļinātu apmaiņu par fiziskajiem principiem, galvenajām tehnoloģijām, lietojumu progresu un nākotnes perspektīvām saistībā ar pusvadītājiem un cietvielu lāzeriem.
Šajā sanāksmē mūsu uzņēmuma priekšsēdētājs Džan Dzjandžuns ziņoja par pieteikumuneodīma jonu koncentrācijagradientsYAG kristālsgala sūkņa lāzertehnoloģijā.Cietvielu lāzeri parasti tiek sūknēti optiski, un ir divi galvenie sūknēšanas metožu veidi: lampas sūknis un diodes sūknis. Ar diodes sūknējamiem cietvielu lāzeriem (DPSSL) ir tādas priekšrocības kā augsta efektivitāte, augsta staru kūļa kvalitāte, laba stabilitāte, kompakta struktūra un ilgs kalpošanas laiks. Diodes sūknēšana tiek izmantota Nd:YAG lāzeros divos sūknēšanas veidos: sānu sūknēšana (saukta par sānu sūknēšanu) un gala sūknēšana (saukta par gala sūknēšanu).
Salīdzinot ar lampas sūknēšanu un pusvadītāju sānu sūknēšanu, pusvadītāju gala sūknēšanai ir vieglāk panākt režīma saskaņošanu starp sūknēšanas gaismu un svārstīgo gaismu lāzera dobumā. Turklāt sūkņa stara fokusēšana uz izmēru, kas ir nedaudz mazāks par lāzera stieni, var ierobežot režīmu skaitu dobumā un efektīvi uzlabot stara kvalitāti. Tajā pašā laikā tam ir kompaktas struktūras priekšrocības, zems lāzera slieksnis un augsta efektivitāte. Pētījumi ir parādījuši, ka gala sūknēšana pašlaik ir visefektīvākā sūknēšanas metode.
Izlikšanas laiks: 21. jūnijs 2024